DSpace Collection:http://data.uet.vnu.edu.vn:8080/xmlui/handle/123456789/9872024-03-09T19:01:26Z2024-03-09T19:01:26ZMô phỏng, tính toán lý thuyết, tối ưu cấu hình theo nguyên tắc khép kín mạch từ và dãy tích hợp cảm biến từ-điện cấu trúc micronanoNguyễn, Văn Tuấnhttp://data.uet.vnu.edu.vn:8080/xmlui/handle/123456789/11172018-01-10T05:18:42Z2017-11-01T00:00:00ZTitle: Mô phỏng, tính toán lý thuyết, tối ưu cấu hình theo nguyên tắc khép kín mạch từ và dãy tích hợp cảm biến từ-điện cấu trúc micronano
Authors: Nguyễn, Văn Tuấn
Abstract: Luận văn đã đạt được một số kết quả
nghiên cứu như sau:
- Luận văn là công trình nghiên cứu khoa học đã đưa ra được tham số để tối ưu hóa cho cấu hình cảm biến. Luận văn đã đi sâu vào việc nghiên cứu ảnh hưởng của trường khử từ lên cảm ứng từ của vật liệu qua đó ảnh hưởng đến tín hiệu lối ra của cảm biến.
Bằng mô hình dựa trên cấu trúc cảm biến dạng đơn thanh IS truyền thống, luận
văn đã tiến hành mô phỏng cách cấu trúc khác như chữ L (LS), chữ U (US), dạng xuyến hình vuông có khe hở không khí (SRS-AG) và không có khe hở không khí (SRS). Từ kết quả mô phỏng, ta thấy rằng cảm ứng từ trong mẫu vật liệu được cải thiện đáng kể, cụ thể, đối với cảm biến IS cảm ứng từ trong mẫu vật liệu đạt giá trị khoảng 92.5 mT và tăng lên tới 110.9 mT ở mẫu SRS không có khe hở không khí trong từ trường đồng nhất 40 A/m. Qua đó luận văn rút ra được cấu hình tối ưu cho cảm biến là cấu hình SRS, và đặc biệt hơn, cảm ứng từ trên cấu hình SRS và cấu hình US là tương đương nhau đạt khoảng 0.0215 T ở từ trường đồng nhất 30 A/m. Khi từ trường đặt vào là 0 A/m thì độ cảm từ của IS đạt khoảng 4.6x102 với cấu trúc đơn
thanh IS và tăng lên 1.37 lần ở cấu trúc US (hay SRS).
- Một trong những mục đích của khóa luận là nhằm tạo tiền đề cho việc phát triển thiết bị phát hiện cáp ngầm/dây dẫn ngầm. Khóa luận cũng đã tiến hành mô phỏng sự phụ thuộc của cảm ứng từ trên mẫu vật liệu theo vị trí của dây dẫn mang dòng điện cũng như cường độ dòng diện. Kết quả mô phỏng cho thấy cảm ứng từ trên mẫu IS và US giảm dần khi dây dẫn dịch chuyển từ tâm cảm biến (x=0 mm) ra vị trí biên của cảm biến (x=7 mm) hoặc dây dẫn dịch chuyển ra xa cảm biến (từ y=1.5mm đến y=41.5mm). Hơn nữa kết quả mô phỏng cũng cho thấy cảm ứng từ trên mẫu IS và US tăng dần khi cường độ dòng trong dây dẫn tăng lên.
Với mục đích nhằm nâng cao tín hiệu lối ra của cảm biến, khóa luận cũng đã nghiên cứu - sự phụ thuộc của cảm ứng từ trên mẫu vật liệu trên cấu trúc IS có bề dày thay đổi. Kết quả chỉ ra rằng cảm ứng từ tăng lên từ 20 mT đến 26 mT khi bề dày giảm dần từ 22 m về 150 nm. Và khi tổ hợp thành chuỗi cảm biến thì tín hiệu được tăng cường lên đáng kể khi có thanh tập trung từ thông với kích thước d thay đổi từ 0 đến 3 mm.
- Dựa vào kết quả mô phỏng tối ưu, khóa luận chế tạo hai cảm biến cấu hình đơn thanh IS truyền thống và cấu hình US để so sánh nhằm kiểm chứng lại mô phỏng. Từ kết quả đo thực nghiệm khóa luận đã đưa ra tần số và điện thế của cảm biến lần lượt là 93 kHz và khoảng 1.3V, đồng thời cũng chỉ ra rằng độ cảm từ trên mẫu US gấp 1.2 lần so với mẫu IS, hơn thế nữa độ phân giải của cảm biến với độ chính xác 3 vào cỡ 0.00025 mV. Đồng thời khóa luận cũng làm rõ được sự phụ thuộc tín hiệu lối ra của cảm biến theo vị trí của dẫn dẫn khi vị trí dây dẫn thay đổi. Sử dụng các phương trình V1÷V4 trong phần tính toán lý thuyết làm hàm để fit các số liệu thực nghiệm. Kết quả cho thấy hàm sử dụng để fit khá chính xác với sai số fit khoảng 1.6 % cho US và cỡ 0.8 % cho IS khi dây dẫn thay đổi theo trục Oy.
Kết quả đo sự phụ thuộc của tín hiệu lối ra cảm biến theo dòng điện khi vị trí dây dẫn được giữ cố định cho thấy độ phân giải đo dòng trong trường hợp cấu hình US cỡ 0.01 A ở vị trí dây dẫn y = 41.5 mm. Độ nhạy của cảm biến của đối với cấu hình IS và US tại vị trí y = 1.5 mm lần lượt là 236 mV/A và 310 mV/A và dải đo của cảm biến được dự đoán vào cỡ ± 4 A, và ± 8A khi khoảng cách dây dẫn là 1.5 mm và 7.5 mm.
Như vậy, khóa luận đã đưa ra được cấu hình cảm biến tối ưu dựa trên nguyên tắc mạch từ khép kín và mô phỏng, tính toán sự phụ thuộc của cảm ứng từ cũng như tín hiệu lối ra của cảm biến phụ thuộc vào vị trí của dây dẫn, kết quả này đã được kiểm chứng bằng đo đạc thực nghiệm.2017-11-01T00:00:00ZTách dòng và biểu hiện gen mã hóa cytochrome P450 từ DNA metagenome suối nước nóng Bình ChâuNguyen, Văn Tụnghttp://data.uet.vnu.edu.vn:8080/xmlui/handle/123456789/11162018-01-10T05:11:43Z2017-11-01T00:00:00ZTitle: Tách dòng và biểu hiện gen mã hóa cytochrome P450 từ DNA metagenome suối nước nóng Bình Châu
Authors: Nguyen, Văn Tụng
Abstract: Luận văn đã tách chiết thành công DNA metagenome của mẫu nước thu thập suối nước nóng Bình Châu. DNA metagenome được đọc trình tự bằng thiết bị giải trình tự thế hệ mới Illumina, thu được 10.2 Gb dữ liệu thô. Sau khi tiến hành lắp ráp de novo, dự đoán gen và chú giải chức năng thu được 68 khung đọc mở tiềm năng mã hóa enzyme cytochrome P450 trong đó có 38 ORF hoàn chỉnh bao gồm 13 khung đọc mở có nhiệt độ Tm cao hơn 65oC, 23 khung đọc mở có Tm nằm trong khoảng từ 55oC đến 65oC và 2 khung đọc mở có Tm thấp hơn 55oC.
Tiến hành phân lập gen tiềm năng mã hóa cytochrome P450 từ DNA metagenome suối nước nóng Bình Châu thu được 1 gen duy nhất có kích thước 1188 bp. Sau khi tách dòng, đọc trình tự bằng Sanger và đối chiếu với cơ sở dữ liệu cytochrome P450 vi khuẩn, gen mã hóa cytochrome P450 thu được từ suối nước nóng Bình Châu được xếp vào nhóm CYP203A1 (tương đồng 94%). Gen mã hóa CYP203A1 được biểu hiện thành công trong chủng vi khuẩn E.Coli C43(DE3) bằng vector biểu hiện pET17b. Gen mã hóa CYP203A1 thu được từ suối nước nóng Bình Châu được xác định giữ được 100% hoạt tính ở 50oC nhưng mất hoàn toàn hoạt tính sau khi ủ ở 60oC trong 15 phút đồng thời nhiệt độ bán rã Tm = 56.8±0.08 (R2=0.99).2017-11-01T00:00:00ZPhát hiện gián tiếp đột biến gen EGFR trong ung thư biểu mô tuyến của phổi bằng kỹ thuật hóa mô miễn dịchNinh, Văn Quyếthttp://data.uet.vnu.edu.vn:8080/xmlui/handle/123456789/11152018-01-10T05:07:30Z2017-11-01T00:00:00ZTitle: Phát hiện gián tiếp đột biến gen EGFR trong ung thư biểu mô tuyến của phổi bằng kỹ thuật hóa mô miễn dịch
Authors: Ninh, Văn Quyết
Abstract: - Về Phân bố bệnh: Nhóm tuổi 50 – 59 chiếm tỉ lệ cao nhất (32,14%), đứng thứ hai là nhóm 60 – 69 với tỉ lệ 30,95%. Như vậy, hai nhóm tuổi này chiếm tới 63,05%.
- Về thời gian phủ DAB: Trong 10 tiêu bản nhuộm hóa mô miễn dịch có thời gian phủ DAB là 1 phút cho kết quả 100% số tiêu bản đạt chất lượng. Còn với thời gian phủ DAB 3 phút thì có 20% số tiêu bản không đạt chất lượng, tiêu bản bị nền và gấp bệnh phẩm.
- Về tỷ lệ bộc lộ gen EGFR: 100/120 trường hợp bộc lộ dấu ấn EGFR dương tính, chiếm 83,33%; 20 trường hợp âm tính với EGFR (16,67%).
- Về mức độ biểu hiện gen EGFR trên HMMD: có 87/120 trường hợp dương tính 1+ và 2+ với dấu ấn EGFR(72,50%); chỉ có 20 trường hợp âm tính với EGFR chiếm 24%.
- Mối liên quan EGFR theo tuổi: Trong số những bệnh nhân <60 tuổi có 51/58 trường hợp EGFR dương tính (87,93%) và 7/58 trường hợp âm tính (12,06%). Với bệnh nhân ≥60 thì có 49/62 trường hợp dương tính (79,03%) và 13/62 trường hợp âm tính (20,96%).
- Mối liên quan EGFR theo giới: Trong 84 trường hợp nam có 69/84 có EGFR dương tính (82,14%) và 15/84 trường hợp âm tính (17,85%). Với nữ giới là 31/36 trường hợp dương tính (86,11%) và 5/36 trường hợp âm tính (13,89%).2017-11-01T00:00:00ZNGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ PHẢN ỨNG LÊN CẤU TRÚC NANO CỦA GRAPHITE NHIỆT PHÂN (PG) TỔNG HỢP BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVDTrần Sỹ Trọng, Khanhhttp://data.uet.vnu.edu.vn:8080/xmlui/handle/123456789/10752017-06-27T09:31:29Z2016-01-01T00:00:00ZTitle: NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ PHẢN ỨNG LÊN CẤU TRÚC NANO CỦA GRAPHITE NHIỆT PHÂN (PG) TỔNG HỢP BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD
Authors: Trần Sỹ Trọng, Khanh2016-01-01T00:00:00Z